VNS1NV04DPTR-E Gate Drivers OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Vörulýsing
| Eiginleiki vöru | Eiginleikagildi |
| Framleiðandi: | STMicroelectronics |
| Vöruflokkur: | Bílstjóri hliðar |
| Vara: | MOSFET hlið bílstjóri |
| Gerð: | Low-Side |
| Festingarstíll: | SMD/SMT |
| Pakki / hulstur: | SOIC-8 |
| Fjöldi ökumanna: | 2 bílstjóri |
| Fjöldi úttak: | 2 Úttak |
| Úttaksstraumur: | 1,7 A |
| Framleiðsluspenna - Hámark: | 24 V |
| Upphlaupstími: | 500 ns |
| Hausttími: | 600 ns |
| Lágmarks rekstrarhiti: | -40 C |
| Hámarks vinnsluhiti: | + 150 C |
| Röð: | VNS1NV04DP-E |
| Hæfi: | AEC-Q100 |
| Pökkun: | Spóla |
| Pökkun: | Klippið borði |
| Pökkun: | MouseReel |
| Merki: | STMicroelectronics |
| Rakaviðkvæmur: | Já |
| Rekstrarframboðsstraumur: | 150 uA |
| Vörugerð: | Bílstjóri hliðar |
| Verksmiðjupakkningamagn: | 2500 |
| Undirflokkur: | PMIC - Power Management ICs |
| Tækni: | Si |
| Þyngd eininga: | 0,005291 únsur |
♠ OMNIFET II fullkomlega sjálfsvarinn Power MOSFET
VNS1NV04DP-E er tæki sem er myndað af tveimur einlitum OMNIFET II flögum sem eru í venjulegum SO-8 pakka.OMNIFET II eru hannaðir í STMicroelectronics VIPower™ M0-3 tækni: þeir eru ætlaðir til að skipta um staðlaða Power MOSFET frá DC upp í 50KHz forrit.Innbyggð hitauppstreymi, línuleg straumtakmörkun og ofspennuklemma verndar flísina í erfiðu umhverfi.
Hægt er að greina bilunarviðbrögð með því að fylgjast með spennunni við inntakspinnann.
• Línuleg straumtakmörkun
• Hitastöðvun
• Skammhlaupsvörn
• Innbyggð klemma
• Lágur straumur dreginn af inntakspinni
• Greiningarendurgjöf í gegnum inntakspinna
• ESD vörn
• Beinn aðgangur að hliði rafmagns MOSFET (hliðstæða akstur)
• Samhæft við staðlaða aflgjafa
• Í samræmi við Evróputilskipun 2002/95/EB
