SIC621CD-T1-GE3 Gate Drivers 60A VRPwr 2 MHz PS4 ham 5V PWM
♠ Vörulýsing
| Eiginleiki vöru | Eiginleikagildi |
| Framleiðandi: | Vishay |
| Vöruflokkur: | Bílstjóri hliðar |
| RoHS: | Upplýsingar |
| Vara: | MOSFET hlið bílstjóri |
| Gerð: | Háhlið, lághlið |
| Festingarstíll: | SMD/SMT |
| Pakki / hulstur: | MLP55-31 |
| Fjöldi ökumanna: | 1 bílstjóri |
| Fjöldi úttak: | 1 Úttak |
| Úttaksstraumur: | 60 A |
| Framboðsspenna - mín: | 4,5 V |
| Framleiðsluspenna - Hámark: | 18 V |
| Stillingar: | Óbeygjanlegt |
| Upphlaupstími: | 35 ns |
| Hausttími: | 10 ns |
| Lágmarks rekstrarhiti: | -55 C |
| Hámarks vinnsluhiti: | + 150 C |
| Röð: | SIC621 |
| Pökkun: | Spóla |
| Pökkun: | Klippið borði |
| Pökkun: | MouseReel |
| Merki: | Vishay hálfleiðarar |
| Pd - Afldreifing: | 1,6 W |
| Vörugerð: | Bílstjóri hliðar |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhm |
| Verksmiðjupakkningamagn: | 3000 |
| Undirflokkur: | PMIC - Power Management ICs |
| Tækni: | Si |
| Vöruheiti: | DrMOS VRPower |
| Þyngd eininga: | 0,000423 únsur |
♠ 60 A VRPower® Integrated Power Stage
SiC621 er samþætt aflþrepslausn sem er fínstillt fyrir samstillt gjald til að bjóða upp á mikinn straum, mikil afköst og afköst með mikilli aflþéttleika.Pakkað í séreignaðri 5 mm x 5 mm MLP pakka Vishay, SiC621 gerir hönnun spennujafnara kleift að skila allt að 60 A samfelldum straumi á fasa.
Innri afl MOSFETs nota nýjustu Gen IV TrenchFET tækni Vishay sem skilar afköstum iðnaðarins til að draga verulega úr rofi og leiðartapi.
SiC621 er með háþróaðan MOSFET hlið rekil IC sem býður upp á mikla straumakstursgetu, aðlagandi dauðatímastýringu, samþætta Schottky díóðu og núllstraumskynjun til að bæta skilvirkni léttálags.Ökumaðurinn er einnig samhæfur við margs konar PWM stýringar, styður þriggja staða PWM og 5 V PWM rökfræði.
Notendavalin díóðahermistilling (ZCD_EN#) er innifalin til að bæta afköst ljóshleðslunnar. Tækið styður einnig PS4 stillingu til að draga úr orkunotkun þegar kerfið er í biðstöðu.
• Varmabættur PowerPAK® MLP55-31L pakki
• Vishay's Gen IV MOSFET tækni og lághliða MOSFET með innbyggðri Schottky díóðu
• Gefur allt að 60 A samfelldan straum
• Mikil skilvirkni
• Hátíðniaðgerð allt að 2 MHz
• Power MOSFETs fínstillt fyrir 12 V inntaksþrep
• 5 V PWM rökfræði með þrístöðu og biðstöðu
• Styður PS4 stillingu létt álagskröfu fyrir IMVP8 með lágum lokunarstraumi (5 V, 5 μA)
• Undirspennulæsing fyrir VCIN
• Fjölfasa VRD fyrir tölvur, skjákort og minni
• Intel IMVP-8 VRPower afhending – VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake pallar – VCCGI fyrir Apollo Lake palla
• Allt að 18 V járnbrautarinntak DC/DC VR einingar
