IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ Vörulýsing
| Eiginleiki vöru | Eiginleikagildi |
| Framleiðandi: | Infineon |
| Vöruflokkur: | MOSFET |
| Tækni: | Si |
| Festingarstíll: | SMD/SMT |
| Pakki / hulstur: | TIL-252-3 |
| Pólun smára: | P-rás |
| Fjöldi rása: | 1 rás |
| Vds - sundurliðunarspenna frárennslis: | 150 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 580 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenna: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Threshold Voltage: | 4 V |
| Qg - Hliðarhleðsla: | 66 nC |
| Lágmarks rekstrarhiti: | -55 C |
| Hámarks vinnsluhiti: | + 175 C |
| Pd - Afldreifing: | 110 W |
| Rásarstilling: | Aukning |
| Pökkun: | Spóla |
| Pökkun: | Klippið borði |
| Pökkun: | MouseReel |
| Merki: | Infineon tækni |
| Stillingar: | Einhleypur |
| Hausttími: | 37 ns |
| Framleiðni - mín: | 3.6 S |
| Hæð: | 2,3 mm |
| Lengd: | 6,5 mm |
| Vörugerð: | MOSFET |
| Upphlaupstími: | 36 ns |
| Verksmiðjupakkningamagn: | 2000 |
| Undirflokkur: | MOSFET |
| Tegund smára: | 1 P-rás |
| Gerð: | Forkeppni |
| Venjulegur slökkvitími: | 53 ns |
| Dæmigerður seinkun á kveikju: | 14 ns |
| Breidd: | 6,22 mm |
| Hluti # Samnefni: | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| Þyngd eininga: | 0,011640 únsur |
♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® Power MOSFET
Fimmta kynslóð HEXFET frá International Rectifier nota háþróaðavinnslutækni til að ná sem minnstu á-viðnámi prkísil svæði.Þessi ávinningur, ásamt hröðum skiptihraðaog harðgerð tækjahönnun sem HEXFET Power MOSFET eruvel þekkt fyrir, veitir hönnuðinum einstaklega skilvirkt tækitil notkunar í margs konar forritum.
D-PAK er hannað fyrir yfirborðsfestingu með því að nota gufufasa,innrauða, eða bylgjulóðunartækni.Beina blýútgáfan(IRFU röð) er fyrir uppsetningar í gegnum holu.KrafturDreifingarstig allt að 1,5 vött er mögulegt á dæmigerðu yfirborðitengja forrit.
P-rás
175°C Notkunarhiti
Yfirborðsfesting (IRFR6215)
Bein leiðsla (IRFU6215)
Háþróuð ferlitækni
Hratt skipti
Alveg snjóflóðastig
Blýlaust
