FQU2N60CTU MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
♠ Vörulýsing
| Eiginleiki vöru | Eiginleikagildi |
| Framleiðandi: | onsemi |
| Vöruflokkur: | MOSFET |
| Tækni: | Si |
| Festingarstíll: | Í gegnum Hole |
| Pakki / hulstur: | TIL-251-3 |
| Pólun smára: | N-rás |
| Fjöldi rása: | 1 rás |
| Vds - sundurliðunarspenna frárennslis: | 600 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1,9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4,7 ohm |
| Vgs - Gate-Source Spenna: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Threshold Voltage: | 2 V |
| Qg - Hliðarhleðsla: | 12 nC |
| Lágmarks rekstrarhiti: | -55 C |
| Hámarks vinnsluhiti: | + 150 C |
| Pd - Afldreifing: | 2,5 W |
| Rásarstilling: | Aukning |
| Pökkun: | Slöngur |
| Merki: | onsemi / Fairchild |
| Stillingar: | Einhleypur |
| Hausttími: | 28 ns |
| Framleiðni - mín: | 5 S |
| Hæð: | 6,3 mm |
| Lengd: | 6,8 mm |
| Vörugerð: | MOSFET |
| Upphlaupstími: | 25 ns |
| Röð: | FQU2N60C |
| Verksmiðjupakkningamagn: | 5040 |
| Undirflokkur: | MOSFET |
| Tegund smára: | 1 N-rás |
| Gerð: | MOSFET |
| Venjulegur slökkvitími: | 24 ns |
| Dæmigerður seinkun á kveikju: | 9 ns |
| Breidd: | 2,5 mm |
| Þyngd eininga: | 0,011993 únsur |
♠ MOSFET – N-rás, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Þessi afl MOSFET fyrir N-Channel aukahluti er framleiddur með því að nota eigin planar stripe og DMOS tækni onsemi.Þessi háþróaða MOSFET tækni hefur verið sérstaklega sniðin til að draga úr viðnám á ástandi og til að veita yfirburða rofaafköst og mikinn snjóflóðaorkustyrk.Þessi tæki eru hentug fyrir aflgjafa fyrir skipta stillingu, leiðréttingu á virka aflstuðli (PFC) og rafeindabúnaði fyrir lampa.
• 1,9 A, 600 V, RDS(on) = 4,7 (hámark) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Lág hliðarhleðsla (gerð 8,5 nC)
• Low Crss (Typ. 4,3 pF)
• 100% snjóflóðaprófað
• Þessi tæki eru Halid Free og eru í samræmi við RoHS
