AUIRFN8459TR MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
♠ Vörulýsing
| Eiginleiki vöru | Eiginleikagildi |
| Framleiðandi: | Infineon |
| Vöruflokkur: | MOSFET |
| RoHS: | Upplýsingar |
| Tækni: | Si |
| Festingarstíll: | SMD/SMT |
| Pakki / hulstur: | PQFN-8 |
| Pólun smára: | N-rás |
| Fjöldi rása: | 2 rásir |
| Vds - sundurliðunarspenna frárennslis: | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5,9 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenna: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Threshold Voltage: | 3 V |
| Qg - Hliðarhleðsla: | 40 nC |
| Lágmarks rekstrarhiti: | -55 C |
| Hámarks vinnsluhiti: | + 175 C |
| Pd - Afldreifing: | 50 W |
| Rásarstilling: | Aukning |
| Hæfi: | AEC-Q101 |
| Pökkun: | Spóla |
| Pökkun: | Klippið borði |
| Pökkun: | MouseReel |
| Merki: | Infineon tækni |
| Stillingar: | Einvígi |
| Hausttími: | 42 ns |
| Framleiðni - mín: | 66 S |
| Hæð: | 1,2 mm |
| Lengd: | 6 mm |
| Vörugerð: | MOSFET |
| Upphlaupstími: | 55 ns |
| Verksmiðjupakkningamagn: | 4000 |
| Undirflokkur: | MOSFET |
| Tegund smára: | 2 N-rás |
| Venjulegur slökkvitími: | 25 ns |
| Dæmigerður seinkun á kveikju: | 10 ns |
| Breidd: | 5 mm |
| Hluti # Samnefni: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| Þyngd eininga: | 0,004308 únsur |
♠ MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
Þessi HEXFET® Power MOSFET er sérstaklega hannaður fyrir bílanotkun og notar nýjustu vinnslutæknina til að ná afar lágu viðnámsþoli á hvert sílikonsvæði.Viðbótareiginleikar þessarar hönnunar eru 175°C vinnuhiti á mótum, hraður sveifluhraði og betri endurtekin snjóflóðastig.Þessir eiginleikar sameinast og gera þessa vöru að einstaklega skilvirku og áreiðanlegu tæki til notkunar í bifreiðum og fjölmörgum öðrum forritum.
Háþróuð ferlitækni
Tvöfaldur N-rásar MOSFET
Ofurlítil viðnám
175°C Notkunarhiti
Hratt skipti
Endurtekið snjóflóð leyfilegt allt að Tjmax
Blýlaust, RoHS samhæft
Bílaviðurkenndur *
12V bílakerfi
Burstaður DC mótor
Hemlun
Sending
