VNLD5090TR-E Gate Drivers OMNIFET III vernda að fullu lo-side drvr
♠ Vörulýsing
Eiginleiki vöru | Eiginleikagildi |
Framleiðandi: | STMicroelectronics |
Vöruflokkur: | Bílstjóri hliðar |
RoHS: | Upplýsingar |
Vara: | Bílstjóri ICs - Ýmsir |
Gerð: | Low-Side |
Festingarstíll: | SMD/SMT |
Pakki/hulstur: | SOIC-8 |
Fjöldi ökumanna: | 1 bílstjóri |
Fjöldi úttak: | 2 Úttak |
Úttaksstraumur: | 18 A |
Framboðsspenna - mín: | 4,5 V |
Framleiðsluspenna - Hámark: | 5,5 V |
Upphlaupstími: | 10 okkur |
Hausttími: | 2,7 okkur |
Lágmarks rekstrarhiti: | -40 C |
Hámarks vinnsluhiti: | + 150 C |
Röð: | VNLD5090-E |
Hæfi: | AEC-Q100 |
Pökkun: | Spóla |
Pökkun: | Klippið borði |
Pökkun: | MouseReel |
Merki: | STMicroelectronics |
Hámarkstími slökkva: | 3,4 okkur |
Hámarks seinkun á kveikju: | 8 okkur |
Rakaviðkvæmur: | Já |
Rekstrarframboðsstraumur: | 30 uA |
Vörugerð: | Bílstjóri hliðar |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhm |
Lokun: | Lokun |
Verksmiðjupakkningamagn: | 2500 |
Undirflokkur: | PMIC - Power Management ICs |
Tækni: | Si |
Þyngd eininga: | 150 mg |
♠ OMNIFET III að fullu verndaður lághliðardrifi fyrir bílanotkun
VNLD5090-E er einhæft tæki framleitt með STMicroelectronics® VIPower® tækni, ætlað til að keyra viðnáms- eða innleiðandi álag með annarri hliðinni tengdri rafhlöðunni.Innbyggð varmastöðvun verndar flísina fyrir ofhita og skammhlaupi.Takmörkun á úttaksstraumi verndar tækið við ofhleðslu.Ef um langvarandi ofhleðslu er að ræða, takmarkar tækið afl sem dreifist í öruggt stig upp í inngrip í hitauppstreymi. Hitastöðvun, með sjálfvirkri endurræsingu, gerir tækinu kleift að endurheimta eðlilega notkun um leið og bilunarástand hverfur.Hröð afsegulvæðing á inductive álagi næst þegar slökkt er á.
·AEC-Q100 hæfur
·Frárennslisstraumur: 13 A
·ESD vörn
·Yfirspennuklemma
·Hitastöðvun
·Straum- og afltakmörkun
·Mjög lítill biðstraumur
·Mjög lítið rafsegulnæmi
·Í samræmi við Evróputilskipun 2002/95/EB