IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2

Framleiðendur: IXYS
Vöruflokkur: Smári – FET, MOSFET – stakir
Gagnablað:IXFA22N65X2
Lýsing: MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
RoHS staða: RoHS samhæft

Upplýsingar um vöru

Eiginleiki vöru	Eiginleikagildi
Framleiðandi:	IXYS
Vöruflokkur:	MOSFET
Tækni:	Si
Festingarstíll:	SMD/SMT
Pakki / hulstur:	TIL-263-3
Pólun smára:	N-rás
Fjöldi rása:	1 rás
Vds - sundurliðunarspenna frárennslis:	650 V
Id - Continuous Drain Current:	22 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	160 mOhm
Vgs - Gate-Source Spenna:	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Threshold Voltage:	2,7 V
Qg - Hliðarhleðsla:	38 nC
Lágmarks rekstrarhiti:	-55 C
Hámarks vinnsluhiti:	+ 150 C
Pd - Afldreifing:	360 W
Rásarstilling:	Aukning
Vöruheiti:	HiPerFET
Pökkun:	Slöngur
Merki:	IXYS
Stillingar:	Einhleypur
Hausttími:	10 ns
Framleiðni - mín:	8 S
Vörugerð:	MOSFET
Upphlaupstími:	35 ns
Röð:	650V Ultra Junction X2
Verksmiðjupakkningamagn:	50
Undirflokkur:	MOSFET
Venjulegur slökkvitími:	33 ns
Dæmigerður seinkun á kveikju:	38 ns
Þyngd eininga:	0,139332 únsur